Aus Wissenschaft und Technik

USA wollen 42 Millionen Dollar für Trägheitsfusions-Forschung ausgeben

(E.I.R. Daily Alert, 17.12. 2023) – Das US-Energieministerium (DOE) hat ein Programm über 42 Millionen Dollar angekündigt, mit dem institutionenübergreifend Zentren eingerichtet werden sollen, um die Trägheits-Fusionsenergie voranzubringen. Das am 7. Dezember angekündigte Programm soll auf der erfolgreichen Arbeit der National Ignition Facility der Lawrence Livermore-Laboratorien aufbauen.

Das DOE möchte die Forschung und Entwicklung in drei Zentren ausweiten:

1. ein Zentrum für Trägheits-Fusionsenergie – Konsortium für Laser-Plasma-Interaktion unter Leitung der Universität Rochester in New York und in Kooperation mit der Universität von Kalifornien in Los Angeles und der Universität von Nebraska in Lincoln;

2. ein Zentrum für Trägheitsfusionswissenschaft und -technologie unter Leitung der Colorado State University, zusammen mit der Cornell University, General Atomics, dem Los Alamos National Laboratory und sieben weiteren Institutionen; und

3. ein nationales Zentrum für beschleunigte Forschung für Fusionsinnovation und Reaktortechnik unter Leitung des Lawrence Livermore National Laboratory und unter Beteiligung von MIT, Oak Ridge National Laboratory, Longview Fusion Energy und 16 weiteren Einrichtungen.

Die vom DOE vorgeschlagene Ausweitung geht in die richtige Richtung und bezieht 30 zusätzliche Forschungseinrichtungen ein, aber 42 Millionen Dollar werden nicht ausreichen. Der gewünschte schnelle Durchbruch zur kommerziellen Anwendung kann nur erreicht werden, wenn man beträchtliche Mittel aus dem 850-Milliarden-Dollar-Haushalt des Verteidigungsministeriums umwidmet und einige der Forschungs- und Entwicklungsprogramme des Verteidigungsministeriums und der Rüstungsindustrie auf die Kernfusionsforschung umstellt.

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Durchbruch für chinesische Halbleiter trotz Sanktionen

(E.I.R. Daily Alert, 16.12. 2023) – ChangXin Memory Technologies (CXMT), ein 2016 gegründetes chinesisches Halbleiterunternehmen, hat am 13. Dezember auf der 69. jährlichen Fachmesse IEEE (International Electron Devices Meeting) in San Francisco eine Ankündigung gemacht, die darauf hindeutet, daß es zu den führenden westlichen Chipherstellern aufschließen könnte. In einem technischen Papier, das auf der Konferenz vorgestellt wurde, erklärten Vertreter von CXMT, das Unternehmen habe die technischen Probleme gelöst, um mit der Produktion von 3-Nanometer-Chips zu beginnen.

Obwohl es bisher nur eine Ankündigung und kein reales Produkt ist, gilt dies als technologischer Durchbruch, der die raschen Fortschritte Chinas trotz der US-Sanktionen belegt. „Das knackt die amerikanischen Sanktionen“, schrieb der Technologieanalyst Dylan Patel auf X. Frederick Chen, ein Experte für Speicherchips des Unternehmens Winbond Electronics aus Taiwan, nannte die Enthüllungen „beeindruckend“. „Das ist wichtig, weil Samsung Electronics dasselbe versucht“, sagte Chen der South China Morning Post.

Die US-Strategie ist, chinesische Halbleiterfirmen mit Sanktionen zu belegen, um ihnen den Zugang zu Chips der neuesten Generation zu verwehren, aber China kontert die Sanktionen, indem es aus eigener Kraft rasche technische Fortschritte erzielt. Wenn CXMT in naher Zukunft in der Lage sein wird, 3nm-Chips zu produzieren, findet es damit bereits annähernd den Anschluß an die fortschrittlichsten Halbleiterhersteller der Welt. Und die South China Morning Post berichtete, Samsung habe laut seinem Tech-Blog 2022 mit der Produktion solcher 3nm-GAA-Chips begonnen.